同步整流電源采用高性能、低導(dǎo)通電阻 MOS 管作為整流器件的全同步整流技術(shù)，極大地提高整流器效率。由于世界最先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件飛速進(jìn)步，高性能半導(dǎo)體器件不斷涌現(xiàn);特別是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的高性能、低導(dǎo)通電阻、大電流 MOS 管，作為整流器件，具有導(dǎo)通電壓低(0.1-0.2V)，反向恢復(fù)損耗很低的特點(diǎn)，大幅度降低了整流損耗，極大提升了開(kāi)關(guān)電源的整體效率。(低電壓大電流工作狀態(tài))

真正的全軟開(kāi)關(guān)技術(shù)使 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗降至最低。同步整流電源采用目前最先進(jìn)的自適應(yīng)諧振全橋 PWM 控制 IC，具備自適應(yīng)零電壓延遲控制功能， 輔以高效諧振電感，從而使 IGBT 幾乎能在整個(gè)工作條件下都實(shí)現(xiàn) ZVS，使 IGBT 的損耗降低 40%、同時(shí)改善了 EMC 特性，降低了對(duì)電網(wǎng)及電源本身的干擾。

同步整流電源選用超高頻、低飽和壓降 IGBT 作為主開(kāi)關(guān)器件，降低 IGBT 的導(dǎo)通損耗。由于選用了超高頻低飽和壓降的大功率高電壓 IGBT，使第三代開(kāi)關(guān)電源的工作頻率比第二代開(kāi)關(guān)電源的工作頻率更高，減小了磁性材料的尺寸;同時(shí)低飽和壓降特性也降低了 IGBT 損耗。